Перейти к содержимому


Фотография

Термическое окисление кремния


  • Авторизуйтесь для ответа в теме
В этой теме нет ответов

#1 Alina*

Alina*
  • Пользователи
  • 1 сообщений

Отправлено 07 Январь 2018 - 22:23

Всем, доброго времени суток!

Заранее отмечу, что в химии совсем слаба, больше по схемоте, да по железу, а тут по технологии ИМС совсем в ступор встала...

Прошу помощи в учебном процессе. Тема - термическое окисление кремния. Более конкретный вопрос-влияние степени легирования кремниевой подложки на скорость окисления.

Предполагается, что примерно имеется представление о модели термического окисления Дила-Гроува. Есть две константы скорости окисления-линейная и параболическая. Каким образом будет влиять степень легирования на линейную константу скорости окисления???

В информации, которую нашла, говорится о том, что скорость роста SiO2 в зависимости от наличия примеси происходит за счет изменения уровня Ферми, что увеличивает концентрацию вакансий, которые обеспечивают дополнительные реакционные места для протекания хим.реакции, переводящей Si в SiO2. А линейная константа напрямую зависит от равновесных концентраций вакансий в кремнии и вблизи поверхности раздела фаз. 

Конкретный вопрос - есть ли конкретный закон, формула, где можно рассчитать линейную константу в зависимости от концентрации легирующей примеси? Может, литературу кто посоветует? Требуется именно формулу привести, где было бы видно, каким образом степень легирования влияет на линейную константу скорости окисления.

Всем отозвавшимся, огромное спасибо)

 






Количество пользователей, читающих эту тему: 1

0 пользователей, 1 гостей, 0 скрытых пользователей

Яндекс.Метрика