Сейчас, ИМХО, не делят люминесценцию на собственную и несобственную.
Например, люминесценция с полосы переноса заряда связана и с примесным центром и с лигандами матрицы, её нельзя считать ни той, ни другой. Она и та и другая одновременно.
Где-то в сети есть фильм о том, как создавали синий светодиод. Там люминесценция собственная, поэтому устранить всякие примеси, создавая надежную кристаллическую решетку без дефектов - это одна из главных проблем. Но, в то же время, в структуре светодиода нужны полупроводники p-типа и n-типа, то это уже несобственные компоненты устройства. А там ещё и барьерные слои нужно было создать, чтобы локализовать электроны и дырки. Это также говорит о некорректности такой классификации как собственная и несобственная люминесценция. Такая же история с гетероструктурами на полупроводниках.