С_А_Горбунов

Наблюдается даже не конус, а шприц. Ударная волна в треках может наблюдаться. Но область сильного возбуждения материала имеет радиус порядка 5нм, а область травления порядка 5мкм. Амплитуда волны, если я не ошибаюсь, в цилиндрически симметрично случае, будет спадать как 1/r. Сможет ли она так далеко создать достаточное количество дефектов?

Это уже вопросы терминологии. Когда имеем кристалл с дефектами, а когда тело становится аморфным. А по существу, как можно количественно, до эксперимента, оценить изменение скорости травления материала, облучённого, например, электронами 30кэВ известной дозы?

Спасибо. Травлением треков тяжёлых ионов в Дубне занимаются давно. Но вся область остаётся феноменологической. Та аморфная область, о которой ВЫ говорите, имеет радиус вокруг траектории пролетевшего иона, или осколка деления, порядка 1-10нм. Мы уже умеем оценивать её диаметр. И в просвечивающий электронный микроскоп этот же диаметр наблюдаем. Но дело вот в чём. Если у иона достаточно высокая энергия, то при травлении в начале траектории формируется узкий канал, затем, ближе к концу траектории он расширяется и достигает 5 микрон в радиусе. Получается такой "шприц". Это показывает, что радиус области повышенной химической активности в широкой части "шприца" составляет до 5 микрон (что на три порядка больше 5нм размеров аморфной области, о которой я писал выше). Получается, что кроме аморфизации существуют другие механизмы повышения химической активности. Скорее всего, это области дефектов и разорванных химических связей. И вот как количественно оценить изменение скорости травления из-за этих дефектов - в этом и есть вопрос)

Действительно, качественно описано, что травятся дефекты и оборванные химические связи (изменённая электронная конфигурация). (напр. в книге Э. Ненли, Э. Джонсон, "Радиационная химия"). Дефекты, мы даже можем посчитать. И изменение G из-за них. Но если брать обычную теорию активированного комплекса и подставлять туда это изменение G, то скорость травления меняется совсем незначительно. Гораздо меньше экспериментального. А с оборванными связями совсем беда. Непонятно, ни каким образом они обрываются, ни сколько их, ни как из-за них меняется химическая активность. Самое непонятное - как сделать грамотно количественную оценку?

Дорогие участники форума, Здравствуйте. Хочу обратиться к вам с вопросом, который, похоже, касается радиационной химии и жидкостного травления дефектов в кристаллах. Есть задача. Твёрдое тело, диэлектрик, облучают тяжёлым ионом. На брегговском пике потерь энергии при пролёте ион выбивает большое число быстрых электронов и атомов, которые могут разлетаться на расстояния несколько микрон. До этого расстояния наблюдается повышенная химическая активность материала: когда кристалл после облучения опускают в кислоту, в нём вдоль траектории иона вытравливается полый цилиндрический канал. Существует масса применений для таких модификаций в материале. Мы можем сказать, сколько электронов и атомов выбилось, сколько они пролетели в кристалле, где остановились. Однако, казать, почему конкретно повышается этими атомами и электронами повышается химическая активность и количественно оценить это повышение мы не можем. Подскажите, пожалуйста, как лучше подойти к этой проблеме? Каким образом сделать количественную оценку? Например, предсказать, что скорость травления повреждённого материала будет в 10, или в 100 раз больше скорости травления неповреждённого? Буду благодарен даже за совет подходящей литературы. Заранее спасибо