isledovatel

а вот порывшись в справочниках, нашел такое: энергия связи GaO = 298 кДж/моль NO = 678 кДж/моль; PO = 519; AsO = 473; SbO = 310. Но допускаю, что справочник кривой. Вопрос Вы, mypucm, поняли правильно. Только из-за познего часа и утомления мозга литературой по химии, забыл написать очевиднум для меня вещь в силу специальности: Все оксиды выходят в виде отрицательных ионов, т.е. GaO- NO- PO- AsO- SbO- И получается, что у GaO с учетом заряда последняя электронная оболочка полностью застроена. Это может повлиять?

Чем можно обосновать существенно более высокий выход GaO по отношению к NO, PO, As и SbO соответственно из соединения GaN, GaP, GaAs, GaSb легированые кислородом, под действием химически-нейтрального воздействия? Меньшей энергией связи GaO по сравнению с остальными (значит и вероятность образование соединения матрица-кислород выше) или есть еще какие-нибудь процессы?

только возникает сходу 3 вопроса: 1. где достать чистые газы 2. а загорится ли оно 3. а что собственно получилось. Точнее как понять что именно получилось спасибо! огорчает только одно - "иногда"

а что такое "понимание науки"? У каждого оно свое и каждый в своем понимании, пожалуй, прав. И это не вопрос химии. т.е. ВСЕ "большие ученые" НЕ понимают что такое наука? Вы от скромности не умрете - это факт. вообще-то вопрос бал не об этом. такие категорические утверждения без аргументации кроме улыбки не вызывают ))) ЗЫ я видел что Вы - модератор и вольны делать что Вам заблагорасудится... ЗЗЫ спасибо кто откликнулся о помощи в этом вопросе. Эксперимент по тихоньку начат - подбираются условия для стабильного горения плазмы: N2, NO и летят

не выделяют. Да и тяжко найти такого человека, который бы смог четко ответить на подобные вопросы. А обращаться к большим ученым - себе дороже, так как не ответят, так еще и попытаются размазать по плинтусу. Да и эксперимент - узконаправленый в не сильно популярной (мягко сказано) в России области исследований.

всё намного проще, так как плазма постоянно вытягивается электрическим полем в 10кВ (соответствено непрерывен и напуск газа и поджег плазмы электронным ударом). Сепарация именно ангидрида осуществляется магнитным полем. Интересно будет ли время жизни достаточным для преодоления в вакууме (10^-9 торр) около 2-х метров - на сколько я помню, это меньше средней длины свободного пробега. Просто понятно, что статистически образование N2O5 в плазме возможно, но как быстро оно будет разваливаться - вот вопрос... Эксперимент в стадии подготовки, так что интересна теоретическая база под него. Сапсибо всем ответившим.

Условия: балон с чистым кислородом и балон с чистым азотом (чистота .9999), возможно менять порции газов; дуоплазматрон с холодным катодом и 2-м обжатием плазмы; давление газов порядка 10^-4 торр (мм.рт.ст.) Вопрос: возможно ли образование азотного ангидрида (N2O5) в достаточно большом % соотношении ко всему что там получится (около 0,5-1% будет вполне приемлемо) или он весь будет моментально разлагаться на NO2 ?? т.е. вопрос о стабильности N2O5 по времени в условиях плазмы. 2-й вопрос: что вообще возможно получить помимо NO2 в таких условиях. ЗЫ я - дилетант от химии! Так что за косяки в вопросе приношу извинения. Готов ответить на все возникающие у Вас вопросы по условиям.