Перейти к содержимому
Форум химиков на XuMuK.ru
ukrredmet

крт. кадмий -ртуть- теллур

Рекомендуемые сообщения

ув. господа!!!  кто у нас плавит слитки крт кадмий -ртуть- теллур..

буду благодарен за инфу

 

А где плутоний плавят, вам не сказать?  Вопросец того же сорта :bu:

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение

А где плутоний плавят, вам не сказать?  Вопросец того же сорта :bu:

Вы наверное никогда не слышали, что кристаллы и тонкие пленки КРТ используются в технологии электронных приборов, например, при изготовлении ИК-детекторов.

Изменено пользователем sstep

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение

Да, но приборы на КРТ особые, хитрые. В девичестве НИИПФ (Орион теперь) на них давно пытался сделать, после института в Особом КБ при "МЭЛЗе" немного проработал, там как раз приборами ночного видения развлекались, и с НИИ этим работали. Они на плёнках и микроболометрах пытались на разных длиннах ИК, по прогнозам супер должно было получиться, мы на ЭВП разных поколений делали, но реальные (и большие :) ). После перестройки нас разогнали,продали площади и всё, (я не дожил там правда до этого) а последнее что ОКБ делало это таблички светящиеся для пожарных типа "ВЫХОД" и т.п. Тоже в общем-то оптико-электронные узлы :( .

Изменено пользователем ДмитрийМ

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение

Потребители продукции: ОАО "МЗ "Сапфир", ФГУП "НПО "Орион", ФГУП "НПО "Альфа".  --------- тогда кто производитель??????????

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение

Ну позвоните в Орион и спросите, желательно не с домашнего или служебного, тогда будет немного времени для распоряжения имуществом и наказа членам семьи что делать в ближайшие 3-10 лет без Вас :) .

  • Like 1

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение

Выращивание объемных кристаллов КРТ и получение тонких эпитаксиальных слоев КРТ

Для производства ИК-фотодетекторов с высокими характеристиками необходим высококачественный полупроводниковый материал. Основными требованиями, предъявляемыми к материалу, являются: низкая концентрация дефектов, большой размер пластин, однородность и воспроизводимость собственных и примесных свойств материала. Постоянно прогрессируя, производство HgCdTe развивалось от метода выращивания объемных кристаллов из расплава при высокой температуре к методам низкотемпературной жидкофазной эпитаксии и эпитаксии из паровой фазы. Однако стоимость и доступность высококачественного HgCdTe большой площади все еще являются сдерживающими факторами при производстве фотоприемников.

Для успешного производства HgCdTe необходимо фундаментальное понимание термодинамики и химии твердого тела.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение

Создайте аккаунт или войдите в него для комментирования

Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий

Создать аккаунт

Зарегистрируйтесь для получения аккаунта. Это просто!

Зарегистрировать аккаунт

Войти

Уже зарегистрированы? Войдите здесь.

Войти сейчас
×