Поиск

Коллеги, прошу совета по корректной интерпретации Mott–Schottky (MS) анализа для полупроводниковых материалов. Работаем с тонкими и толстоплёночными покрытиями (g-C₃N₄, TiO₂, гибридные системы) на FTO, измерения проводятся методом электрохимической импедансной спектроскопии с построением MS-графиков (1/C² vs E) в диапазоне частот ~2–10 кГц, с электродом сравнения Ag/AgCl. Возникают следующие вопросы: Как корректно выбирать «истинный» линейный участок MS-графика? Часто наблюдаются несколько квазилинейных областей при разных потенциалах. Правильно ли использовать только участок при достаточно большом обратном смещении, и какие визуальные/физические критерии указывают на область, соответствующую ёмкости области пространственного заряда, а не влиянию поверхностных состояний или слоя Гельмгольца? Какую роль играет частота измерений? Насколько корректно считать MS-анализ высокочастотным методом и при каких частотах вклад ёмкости Гельмгольца и поверхностных состояний можно пренебречь? Как интерпретировать частотную зависимость плоского потенциала? Подготовка и нанесение образцов для MS-анализа. Какие подходы считаются наиболее корректными для формирования воспроизводимых фотоэлектродов (drop-casting, doctor-blade, electrophoretic deposition)? Как критично влияют толщина плёнки, пористость, связующее (например, Nafion) и качество контакта с FTO на форму MS-графика и определение flat-band потенциала? Существуют ли практические критерии, позволяющие понять, что измеряется ёмкость полупроводника, а не межзерновые или контактные эффекты? Связь MS с другими методами: Как корректно сопоставлять результаты MS (flat-band, тип проводимости) с энергетическими уровнями, определяемыми методом XPS? Какие допущения обычно принимаются при таком сравнении?