Поиск

Дорогие участники форума, Здравствуйте. Хочу обратиться к вам с вопросом, который, похоже, касается радиационной химии и жидкостного травления дефектов в кристаллах. Есть задача. Твёрдое тело, диэлектрик, облучают тяжёлым ионом. На брегговском пике потерь энергии при пролёте ион выбивает большое число быстрых электронов и атомов, которые могут разлетаться на расстояния несколько микрон. До этого расстояния наблюдается повышенная химическая активность материала: когда кристалл после облучения опускают в кислоту, в нём вдоль траектории иона вытравливается полый цилиндрический канал. Существует масса применений для таких модификаций в материале. Мы можем сказать, сколько электронов и атомов выбилось, сколько они пролетели в кристалле, где остановились. Однако, казать, почему конкретно повышается этими атомами и электронами повышается химическая активность и количественно оценить это повышение мы не можем. Подскажите, пожалуйста, как лучше подойти к этой проблеме? Каким образом сделать количественную оценку? Например, предсказать, что скорость травления повреждённого материала будет в 10, или в 100 раз больше скорости травления неповреждённого? Буду благодарен даже за совет подходящей литературы. Заранее спасибо