Поиск

Всем привет. Стоит задача производства тонкопленочных структур для криотемпературных измерений на оксидированной кремниевой подложке. С химией у меня плоховато, но необходимо разобраться что получается, помогите пожалуйста. Напыляем онзистивно из лодочек чистый алюминий и хром. Есть два варианта напыления и два совершенно разных результата. 1-ый вариант 1) Берем подложку со слоем SiO2 2) Напыляем Al (12 нм) 3) Напыляем Cr (1.5 нм) в кислороде при давлении 4*10-4 (мы считаем, что пылим Cr2O3) 4) Окисляем 20 мин в кислороде при давлении 1*10-2 5) Напыляем Al (60 нм) 2-ой вариант 1) Берем подложку со слоем SiO2 2) Напыляем Al (12 нм) 3) Напыляем Cr (1.5 нм) в вакууме (раб давление 5*10-6) 4) Окисляем 20 мин в кислороде при давлении 1*10-2 5) Напыляем Al (60 нм) Все эти процессы производятся без разрыва вакуума. Затем мы измеряем получаемые сопротивления пленок. В первом случае мы всегда получаем разрыв (т.е. наша структура - толстый изолятор), а во втором случае у нас имеется нормальное сопротивление ~ 100кОм (т.е. мы имеем туннельный барьер) Что может происходить с Cr в процессе напыления его в кислороде (он ложится на Al)? Если кто-то имел похожий опыт, буду признателен за ответ.