Boomer Опубликовано 11 Ноября, 2021 в 05:19 Поделиться Опубликовано 11 Ноября, 2021 в 05:19 Составьте кристаллохимические уравнения образования собственных (тепловых) и примесных дефектов в однокомпонентном кристалле A с примесью M, образующей твердые растворы замещения. Основными тепловыми дефектами в кристалле являются дефект зона – зона, образование вакансий по Шоттки и ионизация вакансий. Постройте графики изотерм для основных видов ионизированных дефектов в координатах ln xi = f (Pi). Каково влияние примеси на проводимость кристалла? Кристалл А: a-Sn. Механизм образования вакансий: по Шоттки. Ширина запрещенной зоны = 0,08 эВ. Примесь М в парах: Индий. Твердый р-ор: замещения. Ссылка на комментарий
Рекомендуемые сообщения
Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь
Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий
Создать аккаунт
Зарегистрируйте новый аккаунт в нашем сообществе. Это очень просто!
Регистрация нового пользователяВойти
Уже есть аккаунт? Войти в систему.
Войти