Перейти к содержимому
Форум химиков на XuMuK.ru
  • Сейчас на странице   0 пользователей

    Нет пользователей, просматривающих эту страницу

isledovatel

академический вопрос по п/п

Рекомендуемые сообщения

Чем можно обосновать существенно более высокий выход GaO по отношению к NO, PO, As и SbO соответственно из соединения GaN, GaP, GaAs, GaSb легированые кислородом, под действием химически-нейтрального воздействия?

 

Меньшей энергией связи GaO по сравнению с остальными (значит и вероятность образование соединения матрица-кислород выше) или есть еще какие-нибудь процессы?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение

Не очень понял, про что это все. Что за "химически-нейтральное воздействие"? Откуда взялись формулки оксидов(?) типа GaO, PO, SbO? Единственный реальный из них - NO, все остальное более чем сомнительно. Обоснование (из второго абзаца) тоже более чем странное. Там, очевидно, должна быть большая энергия связи (что, похоже, соответствует истине), благодаря которой больше вероятность образования кислородного соединения (при чем здесь матрица, я не понимаю. Даже если отбросить братьев Вачовски).

 

В общем, я бы это переформулировал (в соответствии со своим далеко неполным пониманием) следующим образом. Есть полупроводник типа III-V на основе галлия, легированный кислородом. При некотором непонятном воздействии он частично разлагается с образованием оксидов образующих его элементов, при этом выход оксида галлия много выше, чем оксида элемента V группы, входящего в состав полупроводника. Не является ли это следствием того, что энергия связи Ga-O много выше, чем энергия связи N-O, P-O, As-О и Sb-O, соответственно, выше и вероятность образования оксида галлия? Если вопрос может быть сформулирован именно так, то я скажу: да, энергия связи Ga-O выше, и все именно из-за этого. Правда, подкрепить я это свое мнение ничем пока не могу, ибо под рукой сейчас нет подходящих справочников.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение

а вот порывшись в справочниках, нашел такое:

энергия связи GaO = 298 кДж/моль

NO = 678 кДж/моль; PO = 519; AsO = 473; SbO = 310.

Но допускаю, что справочник кривой.

 

Вопрос Вы, mypucm, поняли правильно.

Только из-за познего часа и утомления мозга литературой по химии, забыл написать очевиднум для меня вещь в силу специальности:

Все оксиды выходят в виде отрицательных ионов, т.е. GaO- NO- PO- AsO- SbO-

И получается, что у GaO с учетом заряда последняя электронная оболочка полностью застроена. Это может повлиять?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение

Создайте аккаунт или войдите в него для комментирования

Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий

Создать аккаунт

Зарегистрируйтесь для получения аккаунта. Это просто!

Зарегистрировать аккаунт

Войти

Уже зарегистрированы? Войдите здесь.

Войти сейчас

×