Fkiri4

Спасибо огромное за помощь и оперативность)))

1)В первой задаче на ф-лу A=Eλ*c*l, но как найти концентрацию? просто по ф-ле с=m(н-ки)/(М(Cu)*Vр-ра)? и где учесть содержание меди в полупроводниковых материалах? 2)Как я понял вторая задача решается тоже по формуле A=Eλ*c*l и пропускание по ф-ле А=-lgT. то есть А=9,3*10^3*0?012*1=0?112*10^3 г/моль (но оптическая плотность ведь безразмерная величина, т.е. надо еще разделить на молярную массу висмута?) а пропускание будет равно Т= е^-A?

1)Содержание меди в полупроводниковых материалах 1*10^-6%. Каким минимальным молярным коэффициентом поглощения должно обладать химическое соединение меди при ее фотометрическом определении, если навеска образца не превышает 1г, объем измеряемого раствора 5 мл, кювета с l=5см, оптическая плотность Амин=0,02? 2)Молярный коэффициент поглощения комплекса Bi(III) с тиомочевиной равен 9,3*10^3 л/мольсм при λ=470нм. Какова оптическая плотность и пропускание (в процентах)раствора, содержащего 0,012 г/л Bi. Кювета l=1см