А знаете почему? Потому что при нагреве кремний становится не сверхчистым!
Просто как-то не верится что 1 атом примеси на миллион способен преградить полупроводнику... Ну это как-то тупо!!!
Я так понял основная проблема в загрязнении и монокристалле.
Если бы можно было сделать такую установку которая бы делала очень много маленьких вполне возможно нанометровых кристаллов,
которая отбирала бы годные, а плохие дальше в переплавку.
т.е. сразу делать нанокристаллы с готовым элементом объединяя в миллиметровые блоки.
Правда если учесть что даже кристаллы в 40нм на 1мм2 будет около 25 тысяч,
то примерно 1 секунда это весь цикл:
1. проверить кристалл годен/нет,
2. нанести еще слой чуть загрязненный для образования разности потенциалов при выбивании электронов,
3. нанести на низ проводник какой-то, и с верху его же(вроде серебром делают)
4. поместить и припаять в блок
Что нужно:
1. Для этого нужен какой-то прибор для определения чистоты кремния.
ах да, а почему бы и не 100% чистоты раз она так важна?
Я когада-то смотрел как радиацией эту штуку делали...
2. Точечный нагреватель который бы нагревал точку в 40нм за доли секунд(микроволновка?)
3. Сверхточный рука-робот.
4. Инертный материал который не будет вступать в диффузию при кратковременном нагреве
Но вот время создания 1мм2 будет занимать около 6 часов... Но потребление энергии будет минимальным!!!
т.е. сейчас как делают, сразу после восстановления коксом заганяют все в большую печь,
которая жрет энергии для поддержания температуры и выращивают монокристалл которого режут на пластины,
шлифуют, опять режут...
А еще я слышал про зону исключения которая образовывается между водой и гидрофобным материалом...
Если бы это применить в этой технологии, то думаю это очень здорово снизит затраты на производство...
Когда это печатал вспомнил что и при охлаждении там что-то плавили....
Да, я молод и горяч, но все таки вполне логично! Что вам не нравится пожалуйста, пишите!