Перейти к содержанию
Форум химиков на XuMuK.ru
β

Электронные уровни по n


XuMuK

Рекомендуемые сообщения

🚑 Решение задач, контроши, рефераты, курсовые и другое! Онлайн сервис помощи учащимся. Цены в 2-3 раза ниже! 200 руб. на 1-й заказ по коду vsesdal143982
17.01.2023 в 12:30, Вольный Сяншен сказал:

Есть мнение, что d оболочка так любит лиганды

Есть статья по сабжу: Transition Metals and the Aufbau Principle

https://disk.yandex.ru/i/R4WHAdH9juKLVg

Ионы в плане межэлектронного отталкивания резко отличаются от атома.    Это и приводит к таким эффектам.

А в школе надо сразу преподавать принцип Aufbau (принцип надстройки), как правило Клечковского или Маделунга (сейчас уже неважно, кто из них его независимо предложил).

Оно и простое и логичное, хотя и было обосновано эмпирически.   

Вроде бы уже был предложен одноэлектронный потенциал в атоме, который как-то обосновывает это правило.

Ссылка на комментарий
17.01.2023 в 13:11, Jeffry сказал:

А в школе надо сразу преподавать принцип Aufbau (принцип надстройки), как правило Клечковского

Для школ повышенного уровня - да. Для обычных школ я бы упростил знание электронных конфигураций по максимуму. Потому что без привязки к химическим свойствам знание электронной оболочки является чистой схоластикой, пригодной только для тестов ЕГЭ. 

Избыточная информация только вредит, школьник ещё не разобрался с основами, а ему уже про перескок электрона рассказывают. В результате в голове каша. 

В советской школе информации на уроках химии давали намного меньше, и это никак не мешало готовить хороших химиков. Потому что было понятно, а кому было интересно, тот быстро на этом скелете наращивал мышцы. Тем более, что загрузка была меньше, и можно было в сарае поэкспериментировать. И доп литературу почитать. 

Сейчас в голову среднему школяру пытаются впихнуть невпихуемое, и ничего, кроме отвращения это вызвать не может. 

  • Like 1
Ссылка на комментарий

Если я беру ион элемента X с зарядом +/-E, всегда ли получается электронная конфигурация соответствующего соседнего атома?

 

Например, Ge2+ Zn

Ссылка на комментарий
17.01.2023 в 14:26, XuMuK сказал:

Если я беру ион элемента X с зарядом +/-E, всегда ли получается электронная конфигурация соответствующего соседнего атома?

Для иона в вакууме это наверняка так. Для иона в растворе видимо зависит от сольватации. Если взаимодействие иона с молекулами растворителя чисто электростатическое (допустим Na+ ), то видимо тоже. А если вокруг иона возникает определённая геометрическая конфигурация, то значит есть гибридизация, энергии орбиталей выравниваются. 

Хотя я не знаю, существует ли чисто электростатическая сольватация? 

Ссылка на комментарий
17.01.2023 в 14:26, XuMuK сказал:

Если я беру ион элемента X с зарядом +/-E, всегда ли получается электронная конфигурация соответствующего соседнего атома?

 

Например, Ge2+ Zn

В таких простых случаях, когда речь идет об s- и p-электронах, видимо, да. Если же возможны всякие проскоки на d и f-подуровни - это к теоретикам.

Кстати, Ge2+ - это же гермилен, аналог карбена. Производные Ge2+ могут внедряться в связи C-Hal аналогично карбенам. И цинк тоже легко внедряется в связь C-Hal. Т.е. нульвалентный цинк ведет себя как аналог карбена. Только сейчас мне это в голову пришло. Хотя я в лаборатории аналогов карбенов долго работал... :w00t:

Ссылка на комментарий
17.01.2023 в 14:26, XuMuK сказал:

всегда ли получается электронная конфигурация соответствующего соседнего атома?

Для катионов наверно всегда.

Ещё важно, что для ионов переходных металлов многое зависит от силы поля лигандов.   В разном поле лигандов исходят и разных конфигураций.

А ионам трехзарядных лантаноидов лиганды по барабану, 4f электроны хорошо экранированы.    Зато велико спин-орбитальное взаимодействие (которое усиливается с лантаноидным  сжатием), поэтому конфигурация - это лишь начало анализа электронной структуры (одноэлектронные атрибуты -  лишь начала анализа многоэлектронных).    Надо определяться сначала с термами, потом - с мультиплетами, и, наконец, с уровнями Штарковского и Зеемановского расщеплений.   

Зато актиноиды опять ведут себя подобно переходным металлам, снова лиганды рулят.

Ссылка на комментарий
17.01.2023 в 17:26, Jeffry сказал:

Для катионов наверно всегда.

 

Меня интересует только атомы/ионы в вакууме, сервис построения этих орбиталей-то учебный :)

Ссылка на комментарий
В 17.01.2023 в 15:35, Paul_S сказал:

В таких простых случаях, когда речь идет об s- и p-электронах, видимо, да. Если же возможны всякие проскоки на d и f-подуровни - это к теоретикам.

Кстати, Ge2+ - это же гермилен, аналог карбена. Производные Ge2+ могут внедряться в связи C-Hal аналогично карбенам. И цинк тоже легко внедряется в связь C-Hal. Т.е. нульвалентный цинк ведет себя как аналог карбена. Только сейчас мне это в голову пришло. Хотя я в лаборатории аналогов карбенов долго работал... :w00t:

Аналогии теперь везде видятся, даже в яичнице из двух яиц??

Ссылка на комментарий
В 17.01.2023 в 12:11, Jeffry сказал:

Есть статья по сабжу: Transition Metals and the Aufbau Principle

https://disk.yandex.ru/i/R4WHAdH9juKLVg

Ионы в плане межэлектронного отталкивания резко отличаются от атома.    Это и приводит к таким эффектам.

А в школе надо сразу преподавать принцип Aufbau (принцип надстройки), как правило Клечковского или Маделунга (сейчас уже неважно, кто из них его независимо предложил).

Оно и простое и логичное, хотя и было обосновано эмпирически.   

Вроде бы уже был предложен одноэлектронный потенциал в атоме, который как-то обосновывает это правило.

Мне всегда казалось что все эти выкрутасы изначально обоснованы тем что чем дальше от водорода, тем меньше шансов что атом водородоподобный, ну то есть тем меньше к нему применимо решение уравнения Шрёдингера для водорода, вот и всё. Удивительно вообще что на всем протяжении стабильных атомов эти водородные уровни работают столь хорошо, и было бы крайне странно если бы вообще никакие отклонения не наблюдались) тогда можно было бы наверно вообще забить на задачу трех и более тел, наверно, при уже вот таком соотношении масс этих самых тел)

Ссылка на комментарий

Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь

Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий

Создать аккаунт

Зарегистрируйте новый аккаунт в нашем сообществе. Это очень просто!

Регистрация нового пользователя

Войти

Уже есть аккаунт? Войти в систему.

Войти
  • Последние посетители   0 пользователей онлайн

    • Ни одного зарегистрированного пользователя не просматривает данную страницу
×
×
  • Создать...